Thomas Markus Ihn: Katalogdaten im Frühjahrssemester 2016

NameHerr Prof. Dr. Thomas Markus Ihn
LehrgebietExperimentalphysik
Adresse
Laboratorium für Festkörperphysik
ETH Zürich, HPF E 15.1
Otto-Stern-Weg 1
8093 Zürich
SWITZERLAND
Telefon+41 44 633 22 80
Fax+41 44 633 11 46
E-Mailihn@phys.ethz.ch
URLhttps://nano.phys.ethz.ch/
DepartementPhysik
BeziehungTitularprofessor und Privatdozent

NummerTitelECTSUmfangDozierende
402-0240-00LFortgeschrittenes Experimentieren II Information Belegung eingeschränkt - Details anzeigen
Voraussetzung: "Fortgeschrittenes Experimentieren I" abgeschlossen. Wenn Sie Fortgeschrittenes Experimentieren I noch nicht belegt hatten, schreiben Sie sich bitte dafür zuerst ein.

Bitte belegen Sie diese Veranstaltung im Rahmen Ihres Bachelor-Studiums höchstens einmal!
9 KP18PC. Grab, T. M. Ihn
KurzbeschreibungDas Praktikum ist die Grundschulung für selbständiges Experimentieren. Durchführung von physikalischen Experimenten nach schriftlicher Anleitung. Planung, Aufbau, Durchführung, Auswertung und Interpretation physikalischer Experimente. Abschätzung der Messgenauigkeit.
LernzielStudierende sollen lernen, selbständig etwas komplexere Experimente durchzufuehren, die Daten auszuwerten und zu interpretieren.
402-0241-00LFortgeschrittenes Experimentieren I Information Belegung eingeschränkt - Details anzeigen
WICHTIG: Diese Lehrveranstaltung darf nur einmal in Rahmen des Bachelor-Studiums belegt werden.
9 KP18PC. Grab, T. M. Ihn
KurzbeschreibungDas Praktikum ist die Grundschulung für selbständiges Experimentieren. Dazu gehören Planung, Aufbau, Durchführung, Auswertung und Interpretation physikalischer Experimente, sowie die Abschätzung der Messgenauigkeit. Schriftliche Anleitungen der einzelnen Versuche sind vorhanden.
Lernziel
402-0530-00LMesoscopic Systems0 KP1ST. M. Ihn
KurzbeschreibungForschungskolloquium
Lernziel
402-0596-00LElectronic Transport in Nanostructures Information 6 KP2V + 1UT. M. Ihn
KurzbeschreibungThe lecture discusses basic quantum phenomena occurring in electron transport through nanostructures: Drude theory, Landauer-Buttiker theory, conductance quantization, Aharonov-Bohm effect, weak localization/antilocalization, shot noise, integer and fractional quantum Hall effects, tunneling transport, Coulomb blockade, coherent manipulation of charge- and spin-qubits.
Lernziel
SkriptThe lecture is based on the book:
T. Ihn, Semiconductor Nanostructures: Quantum States and Electronic Transport, ISBN 978-0-19-953442-5, Oxford University Press, 2010.
Voraussetzungen / BesonderesA solid basis in quantum mechanics, electrostatics, quantum statistics and in solid state physics is required.

Students of the Master in Micro- and Nanosystems should at least have attended the lecture by David Norris, Introduction to quantum mechanics for engineers. They should also have passed the exam of the lecture Semiconductor Nanostructures.